紅外光譜法在硅中氧碳含量測定上的應用
天津港東科技股份有限公司 應用分析部
摘要： 單晶硅材料可以用于制造太陽能電池、半導體器件等，由于其應用領域的特殊性要求其純度達到99.9999% 甚至更高。在單晶硅生產(chǎn)過程中由原料及方法等因素難以避免的引入了碳、氧等雜質(zhì)，直接影響了單晶硅的性能。因而需對單晶硅材料中的氧碳含量進行控制。
依據(jù)G B/T 1558-2009和G B/T 1557-2006，紅外光譜法可以在對單晶硅中代位碳和間隙氧進行定性的同時進行定量測定,具有快速、方便、準確的優(yōu)點。
關鍵詞：紅外光譜法 單晶硅 碳氧含量 定量測定
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· 原理
利用硅中代位碳原子和間隙氧原子分別在波數(shù)607.2cm -1和1107cm -1 有特征吸收，根據(jù)吸收峰的吸收系數(shù)來確定代位碳原子濃度和間隙氧原子的濃度。
· 實驗條件
儀器及附件：
FTIR-650 傅里葉變換紅外光譜儀；
氧碳測試附件 硅中氧碳測試支架；
測試條件：
分辨率： 2cm-1
掃描次數(shù)： 64次
檢測器： DTGS
其他：
千分尺:精確至0.01mm
氫氟酸（HF）：分析純（A.R）
· 樣品的制備
按GB/T 1558-2009和GB/T 1557-2006要求選取合適的參比硅片和樣品硅片，分別用氫氟酸（HF）去除表面的氧化物，測定其厚度后，待測。
· 樣品測試
1、采用FTIR-650硅中氧碳含量測試軟件依次進行如下操作：背景掃描→輸入?yún)⒈群穸取鷴呙鑵⒈葮悠贰斎霕悠泛穸取鷴?span microsoft="" line-height:="" style="color: rgb(38, 38, 38);">描樣品→記錄數(shù)據(jù)；